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新能源實驗室New Energy Equipment

STG型四探針電阻率測試儀

STG-I型四探針電阻率測試儀是專業(yè)用來測量硅晶塊、晶片、碎片料、米粒料、頭尾料、堝底料、邊皮料等材料方塊電阻的小型儀器。是生產(chǎn)線上大批量選料的理想儀器,具有簡便的比較功能,操作方便。

 

產(chǎn)品簡介

STG-I型四探針電阻率測試儀是用來測量硅晶塊、晶片、碎片料、米粒料、頭尾料、堝底料、邊皮料等材料方塊電阻的小型儀器。是生產(chǎn)線上大批量選料的理想儀器,具有簡便的比較功能,操作方便。
      本儀器按照半導體材料電阻率的國際及國家標準測試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計,它主要由電器測量部分(主機)及四探針探頭組成。樣品測試電流由高精度的恒流源提供,隨時可進行校準,以確保電阻率測量的準確度。對0.1~29.9Ω*cm標準樣片的測量誤差不超過±5%。

(1)測量范圍:

   a.可測量電阻率:0.1~29.9Ω*cm。

   b.可測方塊電阻: 1~299Ω/口。

   c.最大電阻測量誤差(按JJG508-87進行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω≤±5%。

   d.適合測量各種厚度的硅片,可測晶片直徑(最大)。

   e.圓形Ф100mm ,方形230×220mm。

   f.恒流源:

       輸出電流:0.01~1mA連續(xù)可調(diào);

       誤    差:≤±0.5%;

       恒流精度:各檔均優(yōu)于±0.1%。

   g.直流數(shù)字電壓表:

       測量范圍:0.1~199.9mv;

       靈 敏 度:100μv;

       準 確 度:0.2%(±2個字)。

   h.供電電源:

       AC:220V ±10%(保護隔離) 50/60HZ 功率2W。

(2)四探針探頭;

   a.材持:鎢鋼探針;

   b.間距:1±0.01mm;

   c.針尖絕緣電阻:≥100mΩ;

   d.機械游移率:≤1.0%;

   e.探針壓力:12-16牛頓(總力);

   f.使用環(huán)境:

       環(huán)境溫度:-40~50℃,

       相對濕度:≤80%,無較強的電場干擾,無強光直接照射。

(3)使用方法:

  a. 使用儀器前將電源線、測試筆聯(lián)接線與主機聯(lián)接好,電源線插頭插入220V座插后,開啟背板上的電源開關(guān),此時前面板上的數(shù)字表、發(fā)光二極管都會亮起來。探針頭壓在被測單晶上,右邊的表顯示從1---4探針流入單晶的測量電流,左邊的表顯示電阻率或2、3探針間的電位差。電流大小通過旋轉(zhuǎn)前面板右上方的電位器旋鈕加以調(diào)節(jié)。

  b. 校準設(shè)備:厚度小于3.98mm的(本公司提供厚度小于3.98mm的標準電流修正系數(shù)表)取與要備測試硅材料厚度相同的硅材料標準樣塊校準電阻率測試儀,測試厚度大于3.98mm的硅材料可取厚度大于3.98mm的任一標準樣塊校準電阻率測試儀。

  c. 測試:用四探針接觸硅材料,以探針壓下三分之二為準,待儀器顯示數(shù)字穩(wěn)定即可。

 
STG-2型四探針電阻率測試儀

產(chǎn)品簡介

    STG-2型四探針電阻率測試儀是用來測量硅晶塊、晶片、碎片料、米粒料、頭尾料、堝底料、邊皮料等材料方塊電阻的小型儀器。是生產(chǎn)線上大批量選料的理想儀器,具有簡便的比較功能,操作方便。
    本儀器按照半導體材料電阻率的國際及國家標準測試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計,它主要由電器測量部分(主機)及四探針探頭組成。測試電流由高精寬的恒流源提供,隨時可進行校準,以確保電阻率測量的準確度。

(1)測量范圍:

   a.可測量電阻率:0.1~1999Ω*cm。

   b.適合測量各種厚度型狀的硅料。

   c.恒流源:

      輸出電流:0.01~1mA連續(xù)可調(diào);

      誤    差:≤±0.5%;

      恒流精度:各檔均優(yōu)于±0.1%。

(2)直流數(shù)字電壓表;

     測量范圍:0.1~199.9mv;

     靈 敏 度:100μv;

     準 確 度:0.2%(±2個字)。

(3)供電電源:

      AC:220V ±10%(保護隔離)50/60HZ

     功率:2W

(4)四探針探頭;

     a.材質(zhì):鎢鋼探針;

     b.間距:1±0.01mm;

     c.針尖絕緣電阻:≥100mΩ;

     d.機械游移率:≤1.0%;

     e.探針壓力:12-16牛頓(總力);

     f.使用環(huán)境:

        環(huán)境溫度:-40~50℃;

        相對濕度:≤80%,無較強的電場干擾,無強光直接照射。

(5)使用方法

  a. 使用儀器前將電源線、測試筆聯(lián)接線與主機聯(lián)接好,電源線插頭插入220V座插后,開啟背板上的電源開關(guān),探針頭壓在被測單晶上,右邊的表顯示從1---4探針流入單晶的測量電流,左邊的表顯示電阻率或2、3探針間的電位差。電流大小通過旋轉(zhuǎn)前面板右上方的電位器旋鈕加以調(diào)節(jié)。

  b. 校準設(shè)備:測低阻(電阻率≤49.9Ω*cm)時,按下儀器背面切換按鈕,厚度小于3.98mm的,取與要備測試硅材料厚度相同的硅材料標準樣塊校準電阻率測試儀,測試厚度大于3.98mm的硅材料可取厚度大于3.98mm的任一標準樣塊校準電阻率測試儀。測高阻(電阻率≥49.9Ω*cm)時,按下切換按鈕復位即可。

  c. 測試:用四探針接觸硅材料,以探針壓下三分之二為準,待儀器顯示數(shù)字穩(wěn)定即可。

 

 

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