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FDJ局部放電檢測儀是按照DL/T846.4-2004《高電壓測試設(shè)備通用技術(shù)條件》、GB/T 7354-2003《局部放電測量》開發(fā)的,產(chǎn)品參考標(biāo)準(zhǔn):IEC 61730:2-2004“局部放電試驗(yàn)”,用于晶體硅組件TPT背膜檢測。
FDJ局部放電檢測儀是按照DL/T846.4-2004《高電壓測試設(shè)備通用技術(shù)條件》、GB/T 7354-2003《局部放電測量》開發(fā)的, 產(chǎn)品參考標(biāo)準(zhǔn):IEC 61730:2-2004"局部放電試驗(yàn)",用于晶體硅組件TPT背膜檢測。
1、測量功能:可檢測局部放電幅值、極性、相位、放電起始電壓、熄滅電壓、次數(shù)等相關(guān)參數(shù)。
2、同步功能:內(nèi)、外同步任意選擇,且具有零標(biāo)指示和相位分辨功能。
3、顯示方式:可選擇橢圓、直線、正弦及二維、三維等界面顯示局部放電信號(hào),可直觀的分析測試過程中信號(hào)的頻率、相位、幅度以及試驗(yàn)電壓之間的相互關(guān)系。
4、局部放大:可對(duì)單個(gè)或某一段放電信號(hào)進(jìn)行波形分析,確定信號(hào)的性質(zhì)。
5、同步消隱:在配合阻抗單元和耦合電容的情況下,可對(duì)來自地網(wǎng)、試驗(yàn)電源和試驗(yàn)現(xiàn)場空間的干擾進(jìn)行同步濾除。
6、極性鑒別:可通過放電信號(hào)的脈沖極性區(qū)分,是試品內(nèi)部,還是外部的放電,有效去除外部干擾。
7、頻譜分析:基于FFT算法實(shí)現(xiàn)的頻譜分析與FIR數(shù)字濾波功能。
8、增益可調(diào):在量程切換跨度內(nèi),實(shí)現(xiàn)增益連續(xù)可調(diào)。
9、保存打?。嚎杀4鎲未畏烹姷臄?shù)據(jù),也可記錄一段時(shí)間的局部放電圖形及相關(guān)參數(shù),保存的數(shù)據(jù)可回放和重現(xiàn)方便后期分析。對(duì)單次放電的數(shù)據(jù)提供打印功能。
1、測量通道:獨(dú)立通道;
2、檢測靈敏度:0.5pC;
3、采樣精度:12位;
4、采樣速率:12.5m/s;
5、測量范圍:0.5pC~1μC;
6、量程線性度誤差:優(yōu)于±5%;
7、量程切換:/10、×1、×10、×100;
8、試品電容量范圍:6pF~250μF;
9、測量頻帶:10kHz~1MHz;
10、程控濾波:
低端頻率:20kHz,40kHz,60kHz,80kHz;
高端頻率:100kHz,200kHz,300kHz,400kHz;
數(shù)字濾波:10kHz~1MHz可選;
11、試驗(yàn)電源頻率:30~300Hz;
12、工作環(huán)境:環(huán)境溫度:-10~45℃相對(duì)濕度:≤95%;
13、電源:AC220V;頻率50Hz。